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摘要
制备了i-AlGaN/n-AlGaN肖特基结构的背照射AlGaN紫外光电探测器,并进行了光电性能的研究。室温下发现光电探测器的截止波长为320 nm,但在350～400 nm之间存在宽广的深能级响应。通过对探测器进行电流-电压和电容-电压的测试,分析了350～400 nm之间深能级响应谱出现的原因。电流-电压测试结果表明理想因子在2以上,说明正向输运机制中存在由缺陷能级引起的复合电流,电容平方倒数对电压斜率的变化表明在该探测器本征层中存在由缺陷引起的深能级响应。两种测试分析结果均表明该响应由本征层中的缺陷引起。
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单位国家电网公司; 北京智芯微电子科技有限公司
