利用射线追踪和福克-普朗克方程，研究了CFETR上驱动电流和功率沉积对低杂波注入位置和耦合波谱的依赖关系，讨论了边界非线性效应对电流驱动与功率沉积的影响，给出了低杂波平行折射率和低杂波注入位置的一个优化值。初步数值计算表明：边界非线性效应会导致驱动电流降低；不考虑低杂波非线性效应时，驱动电流的差异约为6%左右，小于考虑该效应时的差异(～25%)。
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