基于DFT/TDDFT方法的MAPbI3/RbSnI2Cl和MAPbI2Cl/RbXI3(X=Pb,Sn)异质结构的电子、光学和结构特性研究(英文)

作者：SAFAEI ARDAKANI Yadollah; MORADI Mahmood^*

来源：Journal of Central South University (English Edition), 2023, 30(05): 1447-1460.

• 第一性原理
• 异质结构
• 钙钛矿
• 电子特性
• 二维电气
• 铁电行为

运用第一性原理研究了MAPbI2Cl/RbPbI3、 MAPbI2Cl/RbSnI3和MAPbI3/RbSnI2Cl异质结构(MA=CH3NH3)的电子和光学性能。结果表明MAPbI3/RbSnI2Cl和MAPbI2Cl/RbSnI3结构具有半导体特性，其带隙分别为0.19和0.97 eV。通过有效质量计算表明，MAPbI2Cl/RbSnI3和MAPbI3/RbSnI2Cl可应用于光伏元件。此外，能态密度图显示在MAPbI3/RbSnI2Cl的结构中有二维电子气在结处形成。通过绘制z轴上的阴阳离子键长度变化及电势表面的分布情况，表明在MAPbI2Cl/RbSnI3和MAPbI3/RbSnI2Cl结构中存在类铁体。在三种物质中，反射率函数都具有较大的值且其性质类似于闪亮金属。此外，MAPbI2Cl/RbSnI3和MAPbI3/RbSnI2Cl异质结构在可见光范围内的吸收峰分别位于412和701 nm。