大自旋极化率半金属Fe_3O_4薄膜制备及其磁性能

作者：唐晓莉; 荆玉兰; 张怀武; 苏桦

来源：硅酸盐学报, 2009, 37(11): 1895-1898.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2009.11.024

• 半金属材料
• 巨磁电阻
• 四氧化三铁薄膜 half-metallic material
• giant magnetoresistance
• magnetic iron oxide thin film

采用磁控溅射法先在Si(100)基片上沉积适当厚度的Fe薄膜作为底层,通过对Fe底层厚度及氧气流量的控制,使底层Fe形成化学计量的无缓冲层的Fe3O4多晶薄膜。通过X射线衍射和磁强计分析了样品的结构和磁性能。结果表明:当初始氧气流量为1.5mL/s时,在15nm的Fe薄膜底层上可成功制备高晶粒织构的化学计量的Fe3O4薄膜。将Fe3O4薄膜应用到巨磁电阻(giant magnetoresistance,GMR)多层膜中,由于多层膜材料间电阻率的失配,利用Fe3O4半金属薄膜并不能获得预见的大GMR效应。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学