一种基于摆率增强的快速瞬态响应LDO电路

作者：黄志祥; 马艳华; 熊波涛; 卢宏斌; 区万林; 常玉春^*

来源：微电子学, 2023, 53(05): 884-889.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230092

• 无片外电容
• LDO
• 摆率增强
• 瞬态提升
• 快速瞬态响应

设计了一种基于摆率增强的快速瞬态响应无片外电容LDO电路。其中，误差放大器采用电流镜跨导结构，降低了频率补偿的难度系数；设计了一种可以为功率管栅极提供额外充放电电流的瞬态提升电路(TEC),能快速响应负载的变化，增大摆率，有效提升了负载瞬态响应。仿真结果表明，电路仅使用简单的密勒密勒补偿，即可实现相位裕度在全负载范围内大于60°;在0.5μs的时间内，负载在100μA和100 mA之间发生跳变，电路的下冲电压和过冲电压分别是69 mV和64 mV,稳定时间分别是0.89μs和0.86μs。相较无TEC,本文电路的下冲/过冲电压分别衰减73%和78%,负载瞬态响应显著提升。

• 单位
  大连理工大学