基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析

作者：赵扬; 陈燕宁; 单书珊; 赵明敏

来源：半导体技术, 2020, 45(01): 72-76.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.01.010

• 电可擦可编程只读存储器(EEPROM)
• 失效分析
• 电压衬度(VC)
• 聚焦离子束(FIB)
• 栅氧化层
• 缺陷

随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜(EMMI)、电压衬度(VC)、去层、聚焦离子束(FIB)的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。

• 单位
  中国电力科学研究院; 国家电网公司; 北京智芯微电子科技有限公司