磷砷注入对沟槽MOSFET静态参数的影响

作者：胡巍然; 冯全源^*

来源：微电子学, 2023, 53(04): 730-734.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220473

• 沟槽MOSFET
• 磷砷注入
• 耐压
• 阈值电压
• 导通电阻

为了降低沟槽MOSFET器件导通电阻，提出了在传统沟槽MOSFET器件体区注入N型杂质的方案，优化了体区杂质浓度分布，从而降低导通电阻。经仿真验证，选择N+源区注入后注入砷，在能量为300 keV,剂量为7×1012 cm-2条件下，特征导通电阻能降低13%,阈值电压降低21.8%;选择接触孔刻蚀后注入磷，在能量为100 keV,剂量为4×1012 cm-2条件下，特征导通电阻降低4.3%,阈值电压几乎不变。

• 单位
  西南交通大学