HL-2A装置器壁处理质谱分析

作者：周军; 曹曾; 曹诚志; 黄向玫; 高霄雁; 胡毅

来源：真空, 2023, 60(02): 45-50.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2023.02.08

• HL-2A装置
• 壁处理
• 质谱分析
• 辉光放电清洗
• 硅化

为了对HL-2A装置升级改造后的器壁处理效果展开分析，使用四极质谱计对HL-2A装置壁处理过程中或壁处理前后的残余气体进行了质谱测量。利用粒子平衡方程和质谱图变化分析了直流辉光放电清洗过程中的气体成分变化。研究了HL-2A装置壁处理的性能并优化了He+D2-GDC的氦氘比例参数。结果表明：HL-2A装置真空室烘烤除气后，残余气体中H2O所占百分比由烘烤前的92%降至56%，真空室真空度达到2.2×10-5Pa；在不同阶段利用H2-GDC、He-GDC、He+D2-GDC进行壁处理消除了真空室内部件升级改造对壁处理造成的不利影响，保障了HL-2A装置等离子体放电实验的开展。

• 单位
  核工业西南物理研究院