基于硅通孔热应力的电路时序优化方法

作者：董刚; 袁晔; 杨银堂

来源：2017-07-18, 中国, ZL201710587116.3.

本发明公开了一种基于硅通孔热应力的电路时序优化方法,主要解决现有技术对电路有硅通孔热应力时由于没有时序优化而导致电路功能不符合设计要求的问题,其实现步骤包括：(1)提取电路设计中硅通孔与器件位置及其物理参数；(2)计算多个硅通孔存在时引起的热应力分布；(3)计算器件受到热应力影响时的迁移率；(4)利用商用HSPICE软件仿真得到电路延迟；(5)在工艺库中修改变化后的迁移率参数重新进行仿真；(6)调整器件位置并根据仿真结果进行时序优化。本发明能快速调整器件布置位置,使电路时序达到最佳,可用于三维集成电路的前期设计。

• 单位
  西安电子科技大学