一种自实现反相器功能的互补式垂直环栅场效应晶体管

作者：王雪珂; 王昌锋; 田明; 孙亚宾; 石艳玲; 李小进; 廖端泉; 曹永峰

来源：2019-10-18, 中国, CN201910993319.1.

本发明公开了一种自实现反相器功能的互补式垂直环栅场效应晶体管,包括由栅极、内部高介电常数栅极氧化物、内部低介电常数栅极氧化物、内部沟道、内部漏及内部源之间构成的NMOS晶体管；由栅极、外部高介电常数栅极氧化物、内部低介电常数栅极氧化物、外部沟道、外部漏及外部源之间构成的PMOS晶体管。通过在栅极外侧再加一圈双层栅极氧化物和沟道,使栅极可以同时控制两个互补的场效应晶体管的开关,在一个场效应晶体管上同时实现了NMOS晶体管和PMOS晶体管,构成自实现反相器功能的互补式垂直环栅场效应晶体管。具有能够减小芯片面积,增加集成密度,降低成本,减小互连线的长度,从而降低互连线引起的延迟和功耗的优点。

• 单位
  华东师范大学