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摘要
本实用新型公开了基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片,其特征在于：包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、量子陷层、p-AIGaN层、p-GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层,所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接,所述GaN缓冲层与n-GaN层接触连接,所述n-GaN层与量子陷层接触连接,所述量子陷层与p-AIGaN层接触连接,所述p-AIGaN层与p-GaN层接触连接,所述p-GaN层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接,所述钝化保护层接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层和n-GaN层上,所述金属电极包括P电极和N电极,所述P电极穿过钝化保护层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接,所述N电极穿过钝化保护层与n-GaN层接触连接。
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