<正>氮化铝(AlN)作为典型的超宽禁带半导体材料之一，具有宽带隙(6.2 eV)、高临界击穿场强、高热导率等优异性质，与其他宽禁带半导体材料如SiC、GaN等相比有着无法比拟的优势，在高温、高频、高功率等器件上有着广泛的应用前景。近50年来，众多研究机构和企业在AlN单晶衬底领域付出了不懈的努力，目前，2英寸AlN衬底已实现商业化。然而，深紫外光电器件和超宽禁带半导体电子技术的快速商业化急需4英寸AlN衬底，
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