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摘要
通过射频磁控溅射ZnO薄膜的方法制备了以ZnO为有源层的薄膜晶体管器件。研究了H2O2处理ZnO薄膜的不同位置对TFT器件的影响。采用PL测试表征材料的缺陷密度,用SEM表征了氧化处理前后的ZnO薄膜材料的表面形貌。结果表明利用H2O2处理ZnO薄膜与源漏电极的接触界面会使器件的关态电流降低2个数量级,氧化处理后的ZnO薄膜具有较低的缺陷密度和较好的结晶状态,TFT器件的电流开关比为7.5×105,阈值电压Vth为9V,亚阈值摆幅为2V/decade,场效应迁移率为0.85cm·V-1·s-1。
- 单位
