基于Dongbu 180nm的雷达系统ADC设计

作者：张凯

来源：集成电路应用, 2022, 39(02): 13-15.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.02.005

• 集成电路设计
• ADC
• 逐次逼近型
• 采样率
• 分辨率
• 有效位

阐述基于Dongbu180nm CMOS工艺，设计一款全差分带有冗余位12bit低速SAR ADC，相对于传统二进制电容阵列ADC，高位冗余分裂对建立误差、电容匹配性具有容错性，同时可以带来ADC性能上的提升。该ADC工作电压1.2V，设计精度分辨率为12bit，采样频率200ks/s。仿真结果表明有效位数达到11.4bit。

• 单位
  上海电力大学