宽带低噪声放大器的设计

作者：叶波涛

来源：科技创新与应用, 2021, 11(25): 79-81.

• 分布式放大器
• GaAs pHEMT工艺
• 超宽带
• 单片微波集成电路

为实现低噪音放大器带宽的有效拓宽,依照分布型放大器的基础工作理论,应用0.13μm GaAs PHEMT工艺方法,工程技术人员开发了一类宽带范围超宽的单片微波式集成低噪音放大装置。应用6级分布形式拓扑方案,逐级应用共栅共源的主要构造并且设置去耦型电容,用以提升放大器的增益,优化增益图形的平坦程度,拓宽放大器的运行带宽。通过仿真模拟表明:该放大器位于(0.85～31.5)GHz范围内,其增益达到(15.5±1)d B,最大噪音系数<3.55dB,最小噪音系数只有1.75dB,输入及输出的回波损耗都满足<-10.5dB,放大器的运行电压是2.55V,电流损耗为71.5mA,1.5dB处压缩点的输出功率数值>10.5dBm,芯片模块面积是(2.15×1.25)mm。

• 单位
  中国船舶重工集团公司