MgO·1.15Ga2O3陶瓷的晶体结构、振动谱及本征介电性能

作者：李石峤; 王斌; 徐鹏宇; 涂兵田; 王皓^*

来源：硅酸盐学报, 2021, 49(09): 1935-1942.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20200977

• 非化学计量镓酸镁
• 本征介电性能
• 晶体结构
• 红外反射谱

合成了颗粒均匀细小的单相MgO·1.15Ga2O3尖晶石粉体,通过无压预烧结合热等静压烧结制备出致密陶瓷。采用X射线Rietveld全谱拟合法确定其晶体结构为(Mg0.118G0.882)Ⅳ[Mg0.781Ga1.185□(0.033)]ⅥO4(□为空位),用Raman光谱与红外反射光谱研究了晶体结构、声子振动模与本征介电性能的关系。结果表明:MgO·1.15Ga2O3陶瓷的介电常数εr=13.21,品质因子Qu×f=166 THz,且[Mg-O]多面体振动基团的声子振动模对振子强度和本征介电损耗影响较大。晶格声子振动模对本征介电损耗也有不容忽视的影响。

• 单位
  材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学