超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究

作者：李宁; 赵凯; 沈鸣杰

来源：集成电路应用, 2019, 36(09): 20-22.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2019.09.008

• 集成电路
• SOI
• 全耗尽
• 总剂量辐照
• NMOSFET

研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏置条件进行了总剂量辐照试验。试验结果表明,采用超薄SOI材料制造的MSOFET,由总剂量辐照导致阈值漂移现象有所减弱。其中,OFF状态为最劣辐照条件。此外,背栅偏置条件对于MSOFET的性能也造成了较大的影响,NMSOFET在背栅正偏时,会导致阈值电压的降低从而提高器件的驱动电流,改善电路性能;而PMOSFET则在背栅负偏时出现类似的现象。