单掺Rb~+和Cs~+的KTP晶体生长及其电导率(英文)

作者：常新安; 臧和贵; 陈学安; 肖卫强; 张书峰

来源：人工晶体学报, 2007, (05): 1052-1055.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.05.021

• 掺质KTP晶体
• 生长习性
• 分配系数
• 透过
• c向电导率 doped KTP crystal
• growth habit
• distribution coefficient
• transmission
• c-direction conductivity

采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K6溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为0.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长。通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350～1100nm范围内的光透过性质未受影响。

• 单位
  材料科学与工程学院; 北京工业大学