28nm工艺制程SRAM高低温失效分析

作者：魏文

来源：半导体技术, 2019, 44(09): 717-722.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.09.011

• 28 nm
• 高低温
• 静态随机存储器(SRAM)
• 读串扰失效
• 写失效

采用SRAM读/写功能分析、晶圆可接受测试(WAT)分析、SRAM操作电路分析相结合的方法,找出28 nm工艺平台开发过程中高温(125℃)和低温(-40℃)测试条件下静态随机存储器(SRAM)比特失效的根本原因,发现高温比特失效是由于SRAM器件局部不匹配带来的β值偏小导致的读串扰失效,低温失效是由于SRAM器件局部不匹配带来的γ值偏小导致的写失效。结果显示28 nm工艺平台SRAM的高低温比特失效对SRAM器件的局部匹配及均匀性较敏感,可以通过优化该平台器件的局部匹配和均匀性改善这种失效。这种SRAM高低温失效的分析方法及结论在集成电路制造行业尤其是对于高阶工艺研发过程具有较好的参考价值。