摘要

本发明公开了一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法,该发明利用了一种简单的双柔性聚合物膜界面限制方法,单晶通过原位印迹法在膜之间生长,有机溶剂通过不断扩散使前驱体溶液达到过饱和并成核结晶并生长成单晶薄膜。聚合物膜可以隔绝水汽,避免外界水对晶体的破坏,从而保证晶体具有较好的环境稳定性。聚合物膜由于其非极性特性,很容易从单晶片上剥离,使单晶不易被损坏,从而减少了单晶的缺陷。该双柔性界面限制法所获得的压印结构具有良好的结晶度和光捕获结构,由该方法制造的光电探测器具有优异的光电性能。