阳极端点支撑空气桥结构太赫兹GaAs二极管

作者：邢东; 冯志红; 王俊龙; 张士祖; 梁士雄; 张立森; 宋旭波; 蔡树军

来源：半导体技术, 2013, (04): 279-282.

• 太赫兹
• GaAs肖特基二极管
• 悬浮空气桥
• 寄生电容
• 串联电阻

研发了具有阳极端点支撑悬浮空气桥结构的太赫兹GaAs肖特基二极管工艺制作技术。该制作技术可以大幅降低GaAs肖特基二极管的寄生电容。利用此项技术,制作出了具有极小寄生电容和串联电阻的太赫兹GaAs肖特基二极管。GaAs肖特基二极管芯片采用了小尺寸芯片设计,芯片厚度为25μm、芯片长度为175μm、芯片宽度为55μm,其中单阳极GaAs肖特基二极管的结电容小于4 fF,串联电阻小于5Ω,总电容的典型值为7～8 fF。根据GaAs肖特基二极管的总电容(CT)计算,二极管的截止频率(fc)高达3.9 THz。这种GaAs肖特基二极管适合应用在太赫兹频段上。