低电容TVS用常压外延工艺研究

作者：仲张峰; 尤晓杰; 王银海; 邓雪华; 魏建宇; 杨帆

来源：电子与封装, 2018, 18(09): 33-35.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0100

• 瞬态电压抑制器(TVS)
• 低电容
• 常压外延
• 自掺杂
• 纵向载流子分布(SRP)

低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层,降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压,提高了浪涌抑制能力。