SiNx表面修饰在剥离技术中的应用

作者：刘海军; 张靖; 莫才平; 段利华; 闫应星; 黄晓峰

来源：信息记录材料, 2022, 23(07): 58-61.

DOI：10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2022.07.062

• SiNx
• 底切宽度
• 表面处理
• 稳定性
• 剥离

针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题，采用碱溶液处理SiNx表面，研究SiNx表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明SiNx表面处理后，胶膜底切宽度稳定性得到显著提高，绝对变化量1.8μm减小到0.2μm，相对变化量从177.2%降低到15.2%，制备出较好的剥离胶膜形貌，解决了InGaAs芯片批产过程中出现的电极图形剥离效果不稳定的问题。