非晶碳化硅薄膜的近红外光发射

作者：林淑地; 邹森强; 黄紫珊; 吴海霞; 林圳旭; 黄锐; 宋捷^*

来源：材料科学与工程学报, 2021, 39(03): 492-526.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2021.03.023

• 近红外发光
• 非晶碳化硅
• 光致发光
• 等离子体增强化学气相沉积

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在不同CH4流量下制备非晶SiCx∶H薄膜,在室温下能用肉眼观察到薄膜较强的近红外光发射,并研究其光发射机制。荧光稳态和瞬态光谱分析表明,在不同波长激发下,薄膜的发光光谱谱形及峰位未发生明显变化,并且薄膜的荧光寿命在1～1.5ns之间。经过1100℃退火处理后,随薄膜中硅团簇的析出其发光基本淬灭,研究认为非晶SiCx∶H薄膜的近红外光发射主要源于薄膜中的Si悬键缺陷态发光中心。

• 单位
  韩山师范学院