纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究

作者：杨世才; 阿布都艾则孜·阿布来提; 简基康; 郑毓峰; 孙言飞; 吴荣

来源：新疆大学学报(自然科学版), 2009, 26(04): 444-449.

• 氮化铝
• 磁控反应溅射
• 择优取向
• 纯氮气 AIN
• Magnetron reactive sputtering
• Preferred orientation
• Pure nitrogen

在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2nm.X射线衍射图谱表明:可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善.由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV.

• 单位
  新疆大学