摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了Zn2Ge O4晶体在高压下的电子结构和带隙变化行为.研究结果发现,随着压强的增加,Zn2Ge O4能带间隙先变大,在压强为9.7 GPa时达到最大值,然后减小.通过电子态密度、电荷布居数和电子差分密度分布图的研究分析可知:在低压区域(09.7 GPa),则是出现了离域现象,诱发了离域电子的产生,从而使带隙减小.

  • 单位
    解放军理工大学