4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应

作者：刘忠永; 蔡理; 刘小强; 刘保军; 崔焕卿; 杨晓阔

来源：微纳电子技术, 2017, 54(02): 80-85.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2017.02.002

• 碳化硅(SiC)
• 单粒子烧毁(SEB)
• 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET))
• SEB阈值电压
• 二维器件仿真

对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。

• 单位
  空军工程大学理学院