a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化

作者：赵晓霞; 田宏波; 王伟; 宗军; 宫元波; 杨文魁; 宿世超

来源：可再生能源, 2022, 40(03): 313-317.

DOI：10.13941/j.cnki.21-1469/tk.2022.03.005

• 硅异质结
• AFORS-HET
• 硅衬底
• 发射极
• TCO薄膜

通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明：在其它参数不变的条件下，硅衬底电阻率越低，转换效率越高；发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响，发射极掺杂浓度低于7.0×1019cm-3时，电池各项性能参数都极差；TCO薄膜功函数应大于5.2 eV，以保证载流子的输运收集。

• 单位
  国家电投集团科学技术研究院有限公司