摘要
在半导体制造中,随着集成电路特征尺寸的不断缩小,纳米颗粒污染物的去除变得越来越具有挑战性。通过清洗工艺的有效清洗,既希望获得较高的颗粒污染物的去除效率,又要求对晶圆表面精细的高深宽比结构不会造成损伤。本文研究了一种自主研发的气液两相雾化清洗喷嘴,对其清洗工艺效果进行了测试,并与常规喷嘴的清洗效果进行了比较。在图形损伤方面,采用该喷嘴对具有多晶硅线条状栅极结构的晶圆进行了损伤测试,并与商业化的兆声波清洗装置的清洗结果进行对比。研究表明在25nm及以下技术代的半导体制造中,该喷嘴拥有广阔的应用前景。