一种非带隙结构基准源的设计及特性分析

作者：陈华; 周锋; 李舜; 严伟

来源：固体电子学研究与进展, 2008, (01): 105-108+113.

• 低功耗
• 电压基准源
• 非带隙结构
• 电源噪声抑制

设计了一种非带隙结构的电压基准源,并对该基准源作了电源抑制特性的理论分析。这一设计在Chart-ed0.35μm CMOS工艺条件下流片实现,在3~110°C的温度范围内测试结果达到了17.4ppm/°C的性能。

• 单位
  专用集成电路与系统国家重点实验室; 复旦大学