通过改进AZO薄膜的制备工艺,提高了AZO薄膜的光学与电学性能、完善了制备工艺,克服了成膜温度较高等不足,成功制备出性能优良的AZO薄膜.通过对新制备的AZO薄膜样品进行XRD和SEM测试,深入分析了影响薄膜结构和电性能的物理因素,获得了最佳制备工艺条件.在室温34℃、溅射功率1 000 W、溅射气压0.052 Pa、溅射时间87 min条件下,溅射产额最高,离子能量最高,可形成性能最优的AZO薄膜结构和形貌.
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