新型相变材料Ti_(0.5)Sb_2Te_3刻蚀工艺及其机理研究

作者：张徐; 刘波; 宋三年; 姚栋宁; 朱敏; 饶峰; 吴良才; 宋志棠; 封松林

来源：无机材料学报, 2013, (12): 1364-1368.

• 新型相变材料
• 干法刻蚀
• CF4 Ar气体
• 刻蚀速度 new phase change material
• dry etching
• CF4 /Ar gas mixture
• etch rate

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所