本发明公开了一种p-GaN增强型MIS-HEMT器件及其制备方法。所述器件除了采用金属氧化物/SiO-2叠层作为表面钝化层来抑制电流崩塌,提升器件击穿特性以外,还通过热氧化沉积的方式生长一层NiO-x作为器件的接触钝化层和栅介质。NiO-x作为一种天然的P型氧化物,其禁带宽度大(～4.0ev),将其作为p-GaN HEMT器件的栅介质,能有效抑制栅极漏电的同时降低栅介质对器件阈值电压漂移的影响,提升器件整体性能。
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