一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法

作者：杨琴; 唐政; 孙放

来源：2011-02-25, 中国, CN201110045408.7.

本发明提供了一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法,具体步骤为在可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液中加入稳定剂后调节pH值至碱性,然后,在惰性气氛下,通入硒化氢气体,反应至所述溶液呈浅黄色透明,制得前躯体溶液；其中,可溶性镉盐、可溶性锌盐或可溶性汞盐与稳定剂的摩尔比为1：3-1：2。将前躯体溶液进行高温高压快速生长,制得所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点。本发明制备方法操作简单,成本低,毒性小,所制备的Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点可直接用于生物荧光标识、临床诊断等实验。

• 单位
  华东师范大学