摘要

基于重离子和质子单粒子效应(SEE)物理机理上的内在关联,得到了重离子SEE截面和质子SEE截面之间的理论联系,建立了由质子SEE截面的实验数据预测重离子的SEE截面的计算方法。该计算方法的关键为质子入射器件沉积能量的等效线性能量转移(LET)谱,将由质子SEE截面计算重离子SEE截面的问题转化为解方程的问题,方程的未知数为表征重离子SEE截面随LET变化的Weibull函数的4个参数,并利用粒子群算法对其求解。选取了3种不同特征尺寸的静态随机存储器(SRAM)对该计算方法进行了验证。结果表明,预测值与实验数据较为符合。该计算方法为获取微电子器件的重离子SEE截面提供了新途径,尤其是为获取倒装器件重离子SEE截面提供了便利。