鳍式场效应晶体管结合自热效应的电迁移分析

作者：张骁竣; 季昊; 聂笔剑

来源：电子技术应用, 2019, 45(08): 53-60.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.199805

• 电迁移
• 自热
• 先进工艺节点
• 统计学的电迁移预算

在先进工艺节点下,鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺相对于平面技术提供了在功耗、性能与面积上的优势。但相对地,FinFET也会引起局部晶体管电流密度的骤增的问题,这也意味着信号线和电源地网络的金属电迁移可靠性会受到更大的冲击。随着FinFET的热分布对互联金属线的温度影响上升,电迁移失效概率上升的次级效应也由之产生。如今,热效应的影响已经成为了广大设计公司不得不考虑的因素之一,在生产商的引导之下,Cadence Voltus提供了针对热效应带来影响的精准、强大并且灵活的解决方案。基于此点对高平均翻转率的芯片进行热效应影响的检查与分析,并且对电源的结构规划和设计的物理实现进行改进。