650V50A SiC JBS的设计分析

作者：何源; 古进; 袁强; 陆超

来源：集成电路应用, 2023, 40(04): 52-53.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.04.017

• 碳化硅
• 肖特基二极管
• JBS

阐述650 V/50 A SiC JBS结构二极管的设计与测试。通过优化有源区元胞设计、结终端设计、离子注入工艺，器件反向耐压VR达到873V，器件具有良好高温特性，正向导通压降VF为1.39 V（@IF=50A），器件结电容Cj为286pF，经过240h高温反偏（HTRB）试验，器件性能未退化。

• 单位
  中国电子信息产业集团有限公司