颅脑损伤患者事件相关电位与认知障碍关系探究

作者：何鹏; 梁超; 魏金刚; 林小敏

来源：医学理论与实践, 2023, 36(05): 728-752.

DOI：10.19381/j.issn.1001-7585.2023.05.003

• 颅脑损伤
• 事件相关电位
• 认知障碍
• 严重程度
• P300
• N200

目的：探究颅脑损伤患者事件相关电位与认知障碍的关系。方法：选取2019年1月—2020年12月我院收治的64例颅脑损伤认知障碍患者为观察组，选取同期无认知障碍的64例颅脑损伤患者为对照组。比较两组的事件相关电位(P300及N200潜伏期及波幅)及观察组中不同认知障碍程度者的事件相关电位指标，采用Spearman秩相关分析上述事件相关电位指标与颅脑损伤患者认知障碍程度的关系。结果：观察组的P300及N200潜伏期显著长于对照组，P300及N200波幅显著低于对照组；观察组中认知障碍较重者的P300及N200潜伏期显著长于认知障碍较轻者；P300及N200波幅显著低于认知障碍较轻者，差异有统计学意义(P<0.05)。Spearman秩相关分析显示，P300及N200潜伏期与颅脑损伤认知障碍呈正相关，P300及N200波幅与颅脑损伤认知障碍呈负相关(P<0.05)。结论：颅脑损伤认知障碍患者的事件相关电位显著异常，且与认知障碍程度密切相关，因此在颅脑损伤患者中的检测价值较高。