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摘要
本发明公开了一种增强型氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法,该晶体管包括：金刚石衬底、位于金刚石衬底上的氢终端表面、位于氢终端表面上两侧的源、漏电极、位于源、漏电极之间的栅电极以及位于栅电极下方的MgF_2栅介质层；其中,MgF_2栅介质层位于所述源、漏电极之间的氢终端表面上,并向两边延伸至完全覆盖源、漏电极的上表面以形成钝化层。本发明提供的的MgF_2栅介质层可同时作为栅介质层和钝化层,且只需经一次沉积形成,以简单的结构和制备工艺实现了高性能、高稳定性的增强型氢终端金刚石场效应晶体管。
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