铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善

作者：宁洪龙; 胡诗犇; 朱峰; 姚日晖; 徐苗; 邹建华; 陶洪; 徐瑞霞; 徐华; 王磊; 兰林锋; 彭俊彪

来源：Acta Physica Sinica, 2015, 64(12): 69-75.

• 高导互联
• 非晶氧化铟镓锌
• 薄膜晶体管
• 铜-钼源漏电极

在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(～9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(～0.2μm)、更低的接触电阻(～1072Ω)和有效接触电阻率(～1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求.

• 单位
  华南理工大学; 国科学院红外物理国家重点实验室