摘要
本文通过使用低于.趋肤深度的金属来设计并制作太赫兹超材料吸收器,在046THz~107THz频率范围内实现了宽频带吸收器,对应的90%相对吸收带宽为7974%。这种宽带吸收性能是由超材料阵列的电偶极子谐振和F-P谐振吸收峰叠加而成的。低于趋肤深度的金属电导率与其厚度息息相关,总体来说,金属厚度越小,电导率也越小,对电磁波的损耗越高。而用高损耗金属制作成太赫兹超材料吸收器,可以增加吸收带宽,因此用低于趋肤深度的金属铂超材料设计成的宽带吸收器,仅由两个吸收峰叠加就可以得到很宽范围内的高吸收。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室