宽带低相噪双核压控振荡器

作者：廖一龙; 张浩

来源：微波学报, 2023, 39(06): 80-84.

DOI：10.14183/j.cnki.1005-6122.202306016

• 双核压控振荡器
• 同相耦合拓扑结构
• 低相噪
• 宽频带

基于同相耦合拓扑结构,分析并设计了一款双核压控振荡器(VCO)。该电路通过将两个相同VCO核的输出同相相连,实现了在不降低谐振腔Q值和输出信号幅度的前提下,将谐振腔的有效电感值减小一半,从而降低了输出信号的相位噪声。该芯片采用TPS 65 nm RFSOI CMOS工艺制造,包括焊盘在内的芯片面积为1.04 mm2。测试结果表明,该VCO可以在8.600～12.148 GHz (34.2%)的宽频带范围内连续工作,并在8.841 GHz处测试的相位噪声为-108.63 dBc/Hz@1 MHz。当电源电压为1.2 V且不考虑测试缓冲器时,该双核VCO消耗电流为9.2～11.1 m A,对应含调谐范围的优值(FOMT)为-183.39～-187.13 d Bc/Hz。

• 单位
  南京美辰微电子有限公司; 南京电子技术研究所