2.4GHz低功耗CMOS低噪声放大器的设计

作者：殷蔚; 谭正龙

来源：岳阳职业技术学院学报, 2008, (05): 77-80.

DOI：10.13947/j.cnki.yyzyxb.2008.05.027

• 低功耗
• CMOS
• 低噪声放大器(LNA)
• 设计 low power
• CMOS
• LNA
• design

本文中采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺,设计了工作在2.4GHz、可应用于蓝牙的低噪声放大器。文中对设计过程有比较详细的叙述,并给出了优化仿真结果。最终的结果显示,该低噪声放大器的最大增益约为16dB,并且波动范围小于0.3dB,具有很好的平坦度。噪声系数约为0.8dB,IIP3为+1.6dBm。在1.5V电源电压供电条件下,电路直流功耗为8mW,能很好地满足低功耗的要求。

• 单位
  岳阳职业技术学院