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摘要
本发明公开了一种玻璃基高隔离度三维双工器,从上到下依次包括：第一金属层、第一介质层、第二金属层、键合层、第三金属层、第二介质层、第四金属层,其中,键合层和第三金属层位于第二金属层、第二介质层之间的中间位置,粘合层位于键合层和第三金属层两侧且位于第二金属层、第二介质层之间。本发明提出的玻璃基高隔离度三维双工器,采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件,由于玻璃的相对介电常数远小于硅衬底,采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件,可以消除高频电路中的涡流效应,显著降低了无源器件的高频损耗,使得本实施例双工器的功耗显著降低,提高了双工器的品质因数,进而提高了双工器的频率选择性和宽阻带特性。
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