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摘要
在ZnO单晶衬底的制造加工过程中，不可避免会引入二氧化硅磨料粒子、有机物等污染物，这会严重影响衬底上所生长薄膜的质量，从而影响半导体器件的性能和可靠性，因此后清洗工艺对外延薄膜的质量至关重要。本研究采用控制变量法研究了复配表面活性剂O-20和JFC的质量比及总质量对超声法后清洗效果的影响。研究发现，复配表面活性剂较单一表面活性剂对衬底表面污染的去除效果更好；不同质量比的复配表面活性剂的清洗效果不同，当O-20和JFC的质量比为2∶1时，对衬底表面污染的去除效果最好；当O-20和JFC的质量比固定为2∶1,增加复配表面活性剂的总质量，对衬底表面污染的去除效果更好；但当总质量增加到一定程度后，清洗效果不再提升，反而会增加表面活性剂的清除难度。
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