基于顺电介质的肖特基二极管及其制作方法

作者：冯倩; 徐周蕊; 马红叶; 胡志国; 于明扬; 张雅超; 胡壮壮; 封兆青; 蔡云匆

来源：2020-09-15, 中国, ZL202010964937.6.

本发明公开了一种基于顺电介质的肖特基二极管及其制作方法,主要解决现有带有场板结构的Ga-2O-3肖特基二极管反向击穿电压过低的问题。其自上而下包括：欧姆接触金属Au层(1)、欧姆接触金属Ti层(2)、高掺杂n型Ga-2O-3衬底(3)和低掺杂n型Ga-2O-3外延层(4)；该低掺杂n型Ga-2O-3外延层的两侧上方设有顺电介质层(5),其中间和顺电介质层内侧的上方依次为肖特基金属Ni层(6)和肖特基金属Au(7)。本发明由于在肖特基电极与Ga-2O-3外延层接触区域加入顺电介质,增大了反向偏压时肖特基结边缘处的耗尽区宽度,削弱了肖特基结的边缘处所承受的集中分布电场强度,提高了击穿电压,可用于制作高压、大功率器件。

• 单位
  西安电子科技大学