摘要

晶圆级芯片封装在CMOS图像传感器芯片中有重要意义,可以降低成本,减小尺寸。但晶圆级封装玻璃与衬底之间的键合过程存在困难与挑战。为了达到更好的封装效果,我们针对封装玻璃与晶圆衬底间的支撑柱结构进行优化,设计了多种不同的支撑柱结构,并在晶圆上进行封装实验。实验结果表明,在芯片上使用与不使用抗反射氧化层的条件下,当支撑柱结构分别具有较小的独立结构面积,和较大的接触面积时,能够达到较高的封装良率。此外,内圈多圈支撑柱结构在两种条件下均能有较好的封装良率。