ZnO/(Ni)薄膜的制备与发光性能的研究

作者：高飞; 吴再华; 刘晓艳

来源：半导体技术, 2008, (08): 701-704.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.08.003

• ZnO薄膜
• 光致发光
• 间隙锌
• Ni掺杂 ZnO thin films
• photoluminescence (PL)
• interstitial zinc(Zni)
• Ni doped

采用直流磁控溅射法制备了ZnO/(Ni)薄膜。研究了氧分压及Ni掺杂对ZnO薄膜的结构、光致发光特性及薄膜中的几种本征缺陷如氧空位(VO)、锌空位(VZn)、氧位锌(OZn)、锌位氧(ZnO)、间隙氧(Oi)、间隙锌(Zni)等浓度变化的影响。实验结果表明,随着氧分压的增大,466nm处的蓝色发光峰增强,掺Ni后蓝色发光峰也增强。通过分析,推测出蓝色发光峰可能是由ZnO薄膜中的间隙锌(Zni)点缺陷引起的。

• 单位
  湖南信息职业技术学院; 中南大学