重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

作者：黄笑容; 杨德仁; 沈益军; 王飞尧; 马向阳; 李立本; 阙端麟

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (06): 662-667.

• 重掺杂直拉硅
• 氧沉淀
• 缺陷 heavily doped Czochralski silicon
• oxygen precipitates
• defects

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室