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摘要
针对重离子诱导的55nm工艺静态随机存储器中的单粒子翻转现象，采用Geant4蒙特卡洛仿真方法对其软错误率展开研究与预测。仿真采用不同种类和能量的重离子，评估SRAM的翻转截面及多单元翻转的概率。通过分析不同能量、不同入射角度的重离子轰击所诱导的单粒子单个单元翻转与多单元翻转的比例，推导出粒子入射角度对翻转发生概率的影响规律。特别针对空间环境中的宇宙射线模型，建立一种对粒子辐射影响下的55nm工艺SRAM的软错误率的预测方法。通过与辐照试验的结果对比，证明经过校准的嵌套敏感体模型能够更准确地评估SRAM的翻转截面。
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单位中国电子科技集团公司
